准现货 IRL3713SPBF Infineon 晶体管

制造商

Infineon Technologies

制造商零件编号

IRL3713SPBF

描述 MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET®

包装 ? 管件 ?

零件状态 Digi-Key 停止供應

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 260A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 110nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5890pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 330W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3 毫欧 @ 38A，10V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 D2PAK

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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