工程一对一服务IRFR5305TRPBF Infineon 晶体管

制造商

Infineon Technologies

制造商零件编号

IRFR5305TRPBF

描述 MOSFET P-CH 55V 31A DPAK

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET®

包装 ? 剪切带（CT） ?

零件状态 在售

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 55V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 31A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 110W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 65 毫欧 @ 16A，10V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 D-Pak

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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