原装现货代理 STU7NM60N ST 晶体管

目前，中国的半导体分立器件产业已经在国际市场占有举足轻重的地位并保持着持续、快速、稳定的发展。随着电子整机、消费类电子产品等市场的持续升温，半导体分立器件仍有很大的发展空间，因此，有关SIC基、GSN基以及封装等新技术新工艺的发展，新型分立器件在汽车电子、节能照明等热点领域的应用前景等成了广受关注的问题。

型号：

STU7NM60N

厂商：ST

标准包装	75
类别	分立半导体产品
产品族	晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列	MDmesh™ II

FET 类型	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	363pF @ 50V
Vgs（最大值）	±25V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	45W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	900 毫欧 @ 2.5A，10V
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	I-Pak
封装/外壳	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 14nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 363pF @ 50V

Vgs（最大值） ±25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 45W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 900 毫欧 @ 2.5A，10V

工作温度 150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装 I-Pak

封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

安富利（深圳）实业发展有限公司，全球最专业的配单专家。一手货源，价格优势，所出的物料，保证原装正品，正规代理渠道，请放心购买！本公司为一般纳税人，可开17%增值税发票，欢迎垂询！

型号/规格

STU7NM60N\t

品牌/商标

ST

类别

分立半导体产品

工作温度

\t150°C（TJ）

封装

TO-251-3

产品族

晶体管