原装现货 SI7806ADN-T1-GE3 VISHAY 晶体管

威世接下来的半导体公司收购发生在2001年，购买了英飞凌科技(Infineon Technologies)公司的红外线元件业务。跟着在2001年收购了全球二极管和整理器领先的制造商通用半导体(General Semiconductor)。英飞凌(Infineon)的红外元件部分和通用半导体(General Semiconductor)的业务补充增强了威世现有的特洛芬肯(Telefunken)和硅尼克斯(Siliconix)的业务能力，并推进威世步入了顶级分立半导体制造商的行列。

型号：

厂商：

VISHAY

一般信息

数据列表 SI7806ADN; 标准包装   3,000 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 TrenchFET®

规格

FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 20nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） - Vgs（最大值） ±20V FET 功能 - 功率耗散（最大值） 1.5W（Ta） 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 11 毫欧 @ 14A，10V 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 表面贴装 供应商器件封装 PowerPAK® 1212-8

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