原装现货代理 NDB6020P ON 晶体管 - FET,MOSFET - 单

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型号:

NDB6020P
厂商:ON

标准包装   800
包装   标准卷带 
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 -
其它名称 NDB6020P-ND 
NDB6020PTR 

规格
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1590pF @ 10V
Vgs(最大值) ±8V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 60W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 12A,4.5V
工作温度 C
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK(TO-263AB)
封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

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型号/规格

NDB6020P

品牌/商标

ON

类别

分立半导体产品

工作温度

-65°C ~ 175°C(TJ)

封装

TO-263-3

产品族

晶体管 - FET,MOSFET - 单