供应:MUR6030D**替代NS6603
地区:浙江 杭州
认证:
无
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产品属性
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*对*大额定值(除非另有规定Tj=25℃)
参数名称和测试条件*号*限值单位
存储温度Tstg -40to 150 ℃
结温Tj 150 ℃
峰值反向电压VRM 300 V
正向电流(双芯) IF(*) 60 A
正向电流(单芯) IF(*) 30 A
电特性(除非另有规定Tj=25℃)
参数名称*号测试条件*小值典型值*大值单位
击穿电压VBR IR=100uA 300 V
反向电流IR VR=300V 1 uA
正向电压VF IF=30A 1.3 V
反向恢复时间Trr IF=0.5 IR=1A Irr=0. ns
总电容Ctot VR=0V f=1MHz 600 pF
参数特性
参数名称*号测试条件参数值单位
反向电流IR VR=300V
Tj=25℃ 1 uA
Tj=125℃ 0.5 mA
浪涌电流IFSM f=60 Hz t=8.3ms Tj=25℃ 300 A
正向电压VF IF=30A Tj=125℃ 0.91 V
快恢复二*管
否
WXDH
MUR6030D*
硅(Si)
TO-247
150(℃)
60
3
属性值