二极管 > 瞬态抑制器 D3V3H1B2LP-7B

参数名称参数值
是否Rohsren证符合符合
生命周期 Active
Objectid 145001226606
包装说明 X1-DFN1006-2, 2 PIN
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.10.00.50
Factory Lead Time 34 weeks
Date Of Intro 2017-09-19
风险等级 7.57
YTEOL 6.48
zui大击穿电压 6.5 V
zui小击穿电压 3.8 V
击穿电压标称值 5.15 V
zui大钳位电压 9.5 V
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码 R-PBCC-N2
JESD-609代码 e4
湿度敏感等级 1
zui大非重复峰值反向功率耗散 380 W
元件数量 1
端子数量 2
zui高工作温度 150 ?C
zui低工作温度 -65 ?C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度） 260
极性 BIDIRECTIONAL
zui大功率耗散 0.25 W
参考标准 IEC-61000-4-2, IEC-61000-4-5
zui大重复峰值反向电压 3.3 V
zui大反向电流 0.5 ?A
反向测试电压 3.3 V
表面贴装 YES
技术 AVALANCHE
端子面层 NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式 NO LEAD
端子位置 BOTTOM
处于峰值回流温度下的zui长时间 30

型号/规格

D3V3H1B2LP-7B

品牌/商标

DIODES/美台

封装形式

X1-DFN1006

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

盒带编带包装

供应二极管 > 瞬态抑制器 D3V3H1B2LP-7B