制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-363-6
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V, 20 V
Id-连续漏极电流: 250 mA, 880 mA
Rds On-漏源导通电阻: 1.5 Ohms, 500 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V, - 12 V, %2B 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 800 mV, 450 mV
Qg-栅极电荷: 900 pC, 2.2 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 270 mW
通道模式: Enhancement
系列: NTJD4158C
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
配置: Dual
下降时间: 78 ns, 3.5 ns
正向跨导 - 值: 0.08 S, 3 S
高度: 0.9 mm
长度: 2 mm
产品: MOSFET Small Signals
产品类型: MOSFET
上升时间: 66 ns, 6.5 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 56 ns, 13.5 ns
典型接通延迟时间: 15 ns, 5.8 ns
宽度: 1.25 mm
单位重量: 7.500 mg
