供应BSC0901NSATMA1

地区:广东 深圳
认证:

深圳市英特瑞斯电子有限公司

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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 44 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 4.8 ns
正向跨导 - 值: 70 S
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 6.8 ns
5000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 28 ns
典型接通延迟时间: 5.4 ns
宽度: 5.15 mm
零件号别名: BSC0901NS SP000800248
单位重量: 101.820 mg
型号/规格

BSC0901NSATMA1

品牌/商标

INFINEON

封装

TDSON-8

批号

22+