供应DMNH6012SPSQ-13
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
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| 制造商: | Diodes Incorporated |
| 产品种类: | MOSFET |
| RoHS: | 详细信息 |
| 技术: | Si |
| 安装风格: | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体: | PowerDI5060-8 |
| 晶体管极性: | N-Channel |
| 通道数量: | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
| Id-连续漏极电流: | 50 A |
| Rds On-漏源导通电阻: | 11 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 2 V |
| Qg-栅极电荷: | 35.2 nC |
| 小工作温度: | - 55 C |
| 大工作温度: | + 175 C |
| Pd-功率耗散: | 3.1 W |
| 通道模式: | Enhancement |
| 资格: | AEC-Q101 |
| 封装: | Reel |
| 封装: | Cut Tape |
| 封装: | MouseReel |
| 商标: | Diodes Incorporated |
| 配置: | Single |
| 产品类型: | MOSFET |
| 2500 | |
| 子类别: | MOSFETs |
| 单位重量: | 96 mg |
DMNH6012SPSQ-13
DIODES/美台
PowerDI5060
22+
