供应GT40QR21 IGBT 晶体管
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
相关推荐
| 制造商: | Toshiba |
| 产品种类: | IGBT 晶体管 |
| 技术: | Si |
| 封装 / 箱体: | TO-3PN-3 |
| 安装风格: | Through Hole |
| 配置: | Single |
| 集电极—发射极大电压 VCEO: | 1.2 kV |
| 集电极—射极饱和电压: | 1.5 V |
| 栅极/发射极大电压: | - 25 V, 25 V |
| 在25 C的连续集电极电流: | 40 A |
| Pd-功率耗散: | 230 W |
| 小工作温度: | - 55 C |
| 大工作温度: | + 175 C |
| 系列: | GT40QR21 |
| 商标: | Toshiba |
| 集电极大连续电流 Ic: | 80 A |
| 栅极—射极漏泄电流: | 100 nA |
| 产品类型: | IGBT Transistors |
| 子类别: | IGBTs |
GT40QR21
TOSHIBA
TO-3P
22+
