供应STL18N60M2

地区:广东 深圳
认证:

深圳市英特瑞斯电子有限公司

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制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerFLAT-5x6-HV-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 9 A
Rds On-漏源导通电阻: 308 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, %2B 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 21.5 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 57 W
通道模式: Enhancement
商标名: MDmesh
系列: STL18N60M2
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 10.6 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 47 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
单位重量: 76 mg
型号/规格

STL18N60M2

品牌/商标

ST

封装

QFN

批号

22+