供应MK60DN512VMC10射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
地区：广东 深圳
认证：
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产品属性
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| 制造商: | NXP |
| 产品种类: | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| RoHS: | 详细信息 |
| 技术: | Si |
| 封装: | Reel |
| 封装: | Cut Tape |
| 商标: | NXP Semiconductors |
| 产品类型: | RF MOSFET Transistors |
| 子类别: | MOSFETs |
| 晶体管类型: | LDMOS FET |
| 类型: | RF Power MOSFET |
| 零件号别名: | 9.35313E+11 |
| 单位重量: | 4.160 g |
| 制造商: | NXP |
| 产品种类: | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| RoHS: | 详细信息 |
| 技术: | Si |
| 封装: | Reel |
| 封装: | Cut Tape |
| 商标: | NXP Semiconductors |
| 产品类型: | RF MOSFET Transistors |
| 子类别: | MOSFETs |
| 晶体管类型: | LDMOS FET |
| 类型: | RF Power MOSFET |
| 零件号别名: | 9.35313E+11 |
| 单位重量: | 4.160 g |
MK60DN512VMC10
ADI
BGA
22+
