供应存储 > DRAM M12L64322A-7TG
地区：广东 深圳
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图文详情
产品属性
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| 参数名称 | 参数值 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 1742770172 |
| 零件包装代码 | TSOP2 |
| 包装说明 | TSSOP, TSSOP86,.46,20 |
| 针数 | 86 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| Country Of Origin | Taiwan |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.02 |
| 风险等级 | 7.51 |
| YTEOL | 1900/1/4 0:00 |
| 访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| I/O 类型 | COMMON |
| 交错的突发长度 | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G86 |
| 长度 | 22.22 mm |
| 内存密度 | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度 | 32 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 86 |
| 字数 | 2097152 words |
| 字数代码 | 2000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 组织 | 2MX32 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP |
| 封装等效代码 | TSSOP86,.46,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 电源 | 3.3 V |
| 自我刷新 | YES |
| 连续突发长度 | 1,2,4,8,FP |
| 子类别 | DRAMs |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 10.16 mm |
M12L64322A-7TG
ESMT
TSOP
22+
