存储 > DRAM M12L64164A-6T

参数名称参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 104376914
包装说明 TSOP, TSOP54,.46,32
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.02
风险等级 1900/1/9
I/O 类型 COMMON
交错的突发长度 1,2,4,8
JESD-30 代码 R-PDSO-G54
内存密度 67108864 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 16
端子数量 54
字数 4194304 words
字数代码 4000000
组织 4MX16
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP
封装等效代码 TSOP54,.46,32
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源 3.3 V
刷新周期 4096
连续突发长度 1,2,4,8,FP
子类别 DRAMs
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子形式 GULL WING
端子节距 0.8 mm
端子位置 DUAL

型号/规格

M12L64164A-6T

品牌/商标

ESMT

封装

BGA

批号

22+

供应存储 > DRAM M12L64164A-6T