供应SPD18P06P G 电子元器件 Infineon 英飞凌 封装PG-TO252-3
地区：广东 深圳
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产品属性
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| 制造商: | Infineon | |
| 产品种类: | MOSFET | |
| 技术: | Si | |
| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | TO-252-3 | |
| 晶体管极性: | P-Channel | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 60 V | |
| Id-连续漏极电流: | 18.6 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 130 mOhms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V | |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 4 V | |
| Qg-栅极电荷: | 22 nC | |
| Pd-功率耗散: | 80 W | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 商标名: | SIPMOS | |
| 系列: | SPD18P06 | |
| 封装: | Reel | |
| 封装: | Cut Tape | |
| 封装: | MouseReel | |
| 商标: | Infineon Technologies | |
| 配置: | Single | |
| 下降时间: | 11 ns | |
| 高度: | 2.3 mm | |
| 长度: | 6.5 mm | |
| 产品类型: | MOSFET | |
| 上升时间: | 5.8 ns | |
| 子类别: | MOSFETs | |
| 晶体管类型: | 1 P-Channel | |
| 典型关闭延迟时间: | 24.5 ns | |
| 典型接通延迟时间: | 12 ns | |
| 宽度: | 6.22 mm | |
| 零件号别名: | SP000443926 SPD18P6PGXT SPD18P06PGBTMA1 | |
| 单位重量: | 330 mg |
SPD18P06P G
Infineon
PG-TO252-3
22+
