供应CSD18532Q5B 场效应管 TI/德州仪器 封装21+ 批次VSON-8
地区:广东 深圳
认证:
无
图文详情
产品属性
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Source Content uid | CSD18532Q5B |
Brand Name | Texas Instruments |
是否无铅 | 不含铅 不含铅 |
生命周期 | Active |
Objectid | 1266045890 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Country Of Origin | Philippines |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.29.00.95 |
风险等级 | 1.16 |
Samacsys Description | TEXAS INSTRUMENTS - CSD18532Q5B - MOSFET, N-CH, 60V, 100A, VSON-8 |
Samacsys Manufacturer | Texas Instruments |
Samacsys Modified On | 2023/2/22 15:33 |
YTEOL | 15 |
其他特性 | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
雪崩能效等级(Eas) | 320 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-N8 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
子类别 | FET General Purpose Powers |
表面贴装 | YES |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
CSD18532Q5B
TI
VSON8
22+