IPD30N06S4L23ATMA2 MOSFET

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 30 A
Rds On-漏源导通电阻: 23 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, %2B 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V
Qg-栅极电荷: 21 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 36 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
系列: IPD30N06
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 3 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 1 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 15 ns
典型接通延迟时间: 4 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: IPD30N06S4L-23 SP001028638
单位重量: 330 mg

型号/规格

IPD30N06S4L23ATMA2

品牌/商标

INFINEON

封装

TO252

批号

22+

供应IPD30N06S4L23ATMA2 MOSFET