制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 8.3 mOhms, 8.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, %2B 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 750 mV
Qg-栅极电荷: 8.3 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 6 W
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
系列: CSD87334Q3D
封装: Reel
商标: Texas Instruments
配置: Single
下降时间: 17 ns, 17 ns
高度: 1 mm
长度: 3.3 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 7 ns, 7 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-channel
典型关闭延迟时间: 11 ns, 11 ns
典型接通延迟时间: 4 ns, 4 ns
宽度: 3.3 mm
单位重量: 76 mg
