供应NTB004N10G MOSFET

地区:广东 深圳
认证:

深圳市英特瑞斯电子有限公司

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制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 201 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 175 nC
工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 340 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
产品类型: MOSFET
800
子类别: MOSFETs
单位重量: 4 g
型号/规格

NTB004N10G

品牌/商标

ON

封装

TO263

批号

22+