制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 400 mA
Rds On-漏源导通电阻: 1.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.1 V
Qg-栅极电荷: 390 pC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 1 W
通道模式: Enhancement
商标名: U-MOSVII-H
系列: T2N7002
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Toshiba
配置: Single
下降时间: 17 ns
正向跨导 - 值: 1 S
高度: 0.9 mm
长度: 2.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 3.6 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 38 ns
典型接通延迟时间: 5.5 ns
宽度: 1.3 mm
单位重量: 8 mg
