制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 86 A
Rds On-漏源导通电阻: 5.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.35 V
Qg-栅极电荷: 15 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 75 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 16 ns
正向跨导 - 值: 73 S
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 49 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 6.22 mm
单位重量: 330 mg
