IXFN420N10T 英特瑞斯电子专注SEMIKRO IGBT模块原厂可订货

数据列表 IXFN420N10T;
标准包装 10
包装管件
零件状态有源
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 GigaMOS™ HiPerFET™
其它名称 623426

规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 420A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 2.3 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 670nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 47000pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1070W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型底座安装
供应商器件封装 SOT-227B
封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC

文档
HTML 规格书 IXFN420N10T

型号/规格

IXFN420N10T

品牌/商标

IXYS

批次

20+

数量

1200

备注

原装

仓库

深圳

供应 IXFN420N10T 英特瑞斯电子专注SEMIKRO IGBT模块 原厂可订货

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