SI8483DB-T2-E1

Manufacturer： Vishay

Product Category： MOSFET

RoHS： Yes

Brand： Vishay / Siliconix

Transistor Polarity： P-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： - 12 V

Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： 10 V

Id - Continuous Drain Current： - 16 A

Rds On - Drain-Source Resistance： 26 mOhms

Configuration： Single

Qg - Gate Charge： 43 nC

Maximum Operating Temperature： + 150 C

Pd - Power Dissipation： 13 W

Mounting Style： SMD/SMT

Package / Case： Micro Foot-6 1.5x1

Packaging： Reel

Fall Time： 20 nS

Minimum Operating Temperature： - 55 C

Rise Time： 20 nS

Factory Pack Quantity： 3000

Typical Turn-Off Delay Time： 80 nS