GO10-SME 传感器

目前市场出现较多的偷工减料的吸收电容，好进行用低价格吸引客户，其实这样是不明智的，因为一个吸收电容的价格和一个模块的价格，相差的不是一点点，不能因小失大

美国航天航空指定品牌，世界三大电容厂商，美国CDE电容器,它的作用如下:

1:美国CDE吸收电容的作用

母线电感以及缓冲电路及其元件内部的杂散电感，对IGBT 电路尤其是大功率IGBT 电路，有极大的影响。因此，希望它愈小愈好。要减小这些电感，需从多方面入手。第一，直流母线要尽量地短；第二，缓冲电路要尽可能地贴近模块；第三，选用低电感的聚丙烯无极电容，与IGBT 相匹配的快速缓冲二极管，以及无感泄放电阻；第四，其它有效措施。目前，缓冲电路的制作工艺也有多种方式：有用分立件连接的；有通过印制版连接的；更有用缓冲电容模块直接安装在IGBT 模块上的。显然，最后一种方式因符合上述第二、第三种降感措施，因而缓冲效果最好，能最大限度地保护IGBT 安全运行，美国CDE吸收电容在这方面是世界最早的鼻祖，最专业的。

2:CDE吸收电容的结构特点

美国CDE吸收电容双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术，使电容具低感抗，多条引线设计，可承受更高纹波电流，高du/dv以及高过压能力。用于各类IGBT缓冲线路突波吸收，各类高频谐振线路。电容结构: 双层金属化膜，内部串联结构，封装: 阻燃塑胶外壳，环氧树脂封装，符合(UL94V-0 )标准，尺寸: 适合于各种IGBT保护。

3吸收电容的技术参数

美国CDE电容量: 0.0047 to 6.8μF，额定电压: 700 to 3000 Vdc损耗角正切:测试条件 1000±20 Hz ， 25±5℃.Cr≤1.0μF， 4×10-4； Cr>1.0μF， 6×10-4 绝缘电阻: 3000s，s= MΩ. μF测试条件 1 minute，100Vdc (25±5℃)耐电压: 2Ur (DC)测试条件 10s，t 25±5℃，1Min工作温度: -40~+85℃