HAS 200-S/SP58 传感器现货供应

为了要同时把谐波和功率损耗降到，逆变器的高侧IGBT利用了脉宽调制(PWM)，同时低侧功率器件就用60Hz进行变化。通过把PWM频率定在20kHz或以上操作，高侧IGBT有50/60Hz调制，输出电感器L1和L2便可以保持实际可行的较少尺寸，提供有效的谐波滤波。再者，逆变器的可听声也可以降到，因为开关频率已经高于人类的听觉范围。

我们研究过采用不同IGBT组合的各种开关技术后，认定能够实现功率耗损和最高逆变器性能的最好组合，是高侧晶体管利用超高速沟道IGBT，而低侧部分就采用标准速度的平面器件。与快速和标准速度平面器件比较，开关频率在20kHz的超高速沟道IGBT提供的总通态和开关功率损耗组合。高侧晶体管的开关频率为20kHz的另外一个优点，是输出电感器有合理的小尺寸，同时也容易进行滤波。在低侧方面，我们把标准速度平面IGBT的开关频率定在60Hz，使功率损耗可以保持在的水平。

当我们细看高电压(600V)超高速沟道IGBT的开关性能，便会知道这些器件为20kHz的开关频率进行了优化。这使设计在相关的频率下能够保持最少的开关损耗，包括集电极到发射极的饱和电压Vce(on)及总开关能量ETS。结果，总通态和开关功率损耗便可以维持在的水平。根据这一点，我们选择了超高速沟道IGBT，例如，IRGB4062DPBF作为高侧功率器件。这种超高速构道IGBT与一个超高速软恢复二极管采用协同封装，进一步确保低开关耗损。