图文详情
产品属性
相关推荐
本公司*物料均为正品原装*,请放心订购!由于库存型号种类太多,查库存及详细资料请联系销售代表!
产品简介:
肖特基二*管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,*D是肖特基势垒二*管(SchottkyBarrierDiode,缩写成*D)的简称。*D不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,*D也称为金属-半导体(接触)二*管或表面势垒二*管,它是一种热载流子二*管。是近年来问世的低功耗、大电流、*速半导体器件。其反向恢复时间*短(可以小到几纳秒),正向导通压降*0.4V左右,而整流电流却可*几千毫安。这些优良特性是快恢复二*管所*拟的。中、小功率肖特基整流二*管大多采用封装形式。
作用原理:
肖特基二*管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正*,以N型半导体B为负*,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中*有*少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度逐渐降低,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为B→A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起*宽度的空间电荷区后,电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动*相对的平衡,便形成了肖特基势垒。
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片,在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳*使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅(SiO2)来消除边缘区域的电场,*管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻,其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N 阴*层,其作用是减小阴*的接触电阻。通过调整结构参数,N型基片和阳*金属之间便形成肖特基势垒,如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳*金属接电源正*,N型基片接电源负*)时,肖特基势垒层变窄,其内阻变小;反之,若在肖特基势垒两端加上反向偏压时,肖特基势垒层则变宽,其内阻变大。
功能应用:
综上所述,肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管,而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管,近年来,采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二*管也已问世,这不*可节省贵金属,大幅度降*,还*了参数的一致性。
否
整流管
是
*
E0900NH450
硅(Si)