*场效应管MOS管BF630替代IRF630

地区:福建 龙岩
认证:

福建省长汀县品基电子产品制造有限公司

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规格
型号
ID(A)PW(W)
25℃
BVdss(V)Vth(V)Vgs(V)Ron(10V)(Ω)封装形式应用领域
MinMaxT*Max
BF63097220024&plu*n;300.350.45TO-220/220FPC主板、DC-DC&DC-AC转换、高频开关电源

公司供应型号: 

N-650V系列:1N65,2N65,4N65,5N65,7N65,8N65,10N65,12N65;

N-600V系列:1N60,2N60,4N60,5N60, 7N60,8N60,10N60,12N60;

N-500V系列:BF830,BF840;

N-400V系列:BF730,BF740;

N-200V系列:BF630,BF640;

N-100V系列:BF540,BF3710,BF3410;

N-75V系列:75NF75;

N-60V系列:50N06;

N-55V系列:BF3205;

N-30V系列:2304,3010S,3050K,3080K,30H10,30H21;

P-30V系列:3401,3407,9435,4953,4403,4435,3013S;

N-20V系列:23028201

P-20V系列:2301

品牌/商标

PJ/普罗强生

型号/规格

BF630

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

V-FET/V型槽MOS

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

2-4(V)(V)

夹断电压

230(V)(V)

跨导

7.05S(μS)(μS)

*间电容

1(pF)(pF)

低频噪声系数

1(dB)(dB)

漏*电流

7A(mA)(mA)

耗散功率

72W(mW)(mW)