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场效应管 MOS管 原装ON 产品系列 2N6609

地区：广东 深圳
认证： 无

林旭坤

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漏*电流

1

材料

P-FET硅P沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

型号/规格

2N6609

封装外形

CHIP/小型片状

品牌/商标

0N/安森美

用途

MOS-HBM/半桥组件

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

低频噪声系数

1

*间电容

1