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场效应管 MOS管 产品系列 2SA1147

地区：广东 深圳
认证： 无

林旭坤

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漏*电流

1

材料

HEMT高电子迁移率

种类

*缘栅(MOSFET)

型号/规格

2SA1147

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

品牌/商标

TOSHIBA/东芝

用途

MOS-FBM/全桥组件

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

低频噪声系数

1

*间电容

1