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贴片电感和贴片磁珠的区别
电感是储能元件,而磁珠是能量转换(消耗)器件。电感多用于电源滤波回路,侧重于抑止传导性干扰;磁珠多用于信号回路,主要用于EMI方面。磁珠用来吸收*频信号,象一些RF电路,PLL,振荡电路,含*频存储器电路(DDR, SDRAM ,A*US等)都需要在电源输入部分加磁珠,而电感是一种储能元件,用在LC振荡电路、中低频的滤波电路等,其应用频率范围很少*过50MHz。
片式电感器主要有4种类型,即绕线型、叠层型、编织型和薄膜片式电感器。常用的是绕线式和叠层式两种类型。前者是传统绕线电感器小型 化的产物;后者则采用多层印刷技术和叠层生产工艺制作,体积比绕线型片式电感器还要小,是电感元件领域重点开发的产品。
1.片式电感:在电子设备的 PCB 板电路中会大量使用感性元件和EMI滤波器元件。这些元件包括片式电感和片式磁珠,以下就这两种器件的特点进行描述并分析他们的普通应用场合以及*应用场合。表面贴装元件的好处在于小的封装尺寸和能够满足实际空间的要求。除了阻*值,载流能力以及其他类似物理特性不同外,通孔接插件和表面贴装器件的其他性能特点基本相同。在需要使用片式电感的场合,要求电感实现以下两个基本功能:电路谐振和扼流电*。谐振电路包括谐振发生电路,振荡电路,时钟电路,脉冲电路,波形发生电路等等。谐振电路还包括高Q带通滤波器电路。要使电路产生谐振,*须有电容和电感同时存在于电路中。在电感的两端存在寄生电容,这是由于器件两个电*之间的铁氧体本体相当于电容介质而产生的。在谐振电路中,电感*须具有高Q,窄的电感偏差,稳定的温度系数,才能*谐振电路窄带,低的频率温度漂移的要求。高Q电路具有尖锐的谐振峰值。窄的电感偏置*谐振频率偏差尽量小。稳定的温度系数*谐振频率具有稳定的温度变化特性。标准的径向引出电感和轴向引出电感以及片式电感的差异**在于封装不一样。电感结构包括介质材料(通常为氧化铝陶瓷材料)上绕制线圈,或者空心线圈以及铁磁性材料上绕制线圈。在功率应用场合,作为扼流圈使用时,电感的主要参数是直流电阻(DCR),额定电流,和低Q值。当作为滤波器使用时,希望宽的带宽特性,因此,并不需要电感的高Q特性。低的DCR可以**小的电压降,DCR定义为元件在没有交流信号下的直流电阻。
2.片式磁珠:片式磁珠的功能主要是消除存在于传输线结构( PCB电路 )中的RF噪声,RF能量是叠加在直流传输电平上的交流正弦波成分,直流成分是需要的有用信号,而射频RF能量却是无用的电磁干扰沿着线路传输和辐射(EMI)。要消除这些不需要的信号能量,使用片式磁珠扮演高频电阻的角色(衰减器),该器件允许直流信号通过,而滤除交流信号。通常高频信号为30MHz以上,然而,低频信号也会受到片式磁珠的影响。
片式磁珠由软磁铁氧体材料组成,构成高体积电阻率的独石结构。涡流损耗同铁氧体材料的电阻率成反比。涡流损耗随信号频率的平方成正比。 使用片式磁珠的好处:
小型化和轻量化。在 射频 噪声频率范围内具有高阻*,消除传输线中的电磁干扰。 闭合磁路结构,更好地消除信号的串绕。 *好的磁屏蔽结构。降低直流电阻,以免对有用信号产生过大的衰减。
显著的高频特性和阻*特性(更好的消除 RF 能量)。在高频放大电路中消除寄生振荡。*的工作在几个MHz到几百MHz的频率范围内。要正确的选择磁珠,*须注意以下几点: 不需要的信号的频率范围为多少。 噪声源是谁。需要多大的噪声衰减。 环境条件是什么(温度,直流电压,结构强度)。 电路和负载阻*是多少。是否有空间在PCB板上放置磁珠。前三条通过观察厂家提供的阻*频率曲线就可以判断。在阻*曲线中三条曲线都*重要,即电阻,感*和总阻*。总阻*通过ZR22πfL()2 :=fL来描述。典型的阻*曲线可参见磁珠的DATASHEET。
通过这一曲线,选择在希望衰减噪声的频率范围内具有*大阻*而在低频和直流下信号衰减尽量小的磁珠型号。 片式磁珠在过大的直流电压下,阻*特性会受到影响,另外,如果工作温升过高,或者外部磁场过大,磁珠的阻*都会受到不利的影响。
使用片式磁珠和片式电感的原因:是使用片式磁珠还是片式电感主要还在于应用。在谐振电路中需要使用片式电感。而需要消除不需要的EMI噪声时,使用片式磁珠是*佳的选择。片式磁珠和片式电感的应用场合: 片式电感:射频(RF)和无线通讯,信息技术设备,雷达检波器,汽车电子,蜂窝电话,寻呼机,音频设备,PDAs(个人数字助理),无线遥控系统以及低压供电模块等。片式磁珠:时钟发生电路,模拟电路和数字电路之间的滤波,I/O输入/输出内部连接器(比如串口,并口,键盘,鼠标,长途电信,本地局域网),射频(RF)电路和易受干扰的逻辑设备之间,供电电路中滤除高频传导干扰,计算机,打印机,录像机(VCRS),电视系统和手提电话中的EMI噪声抑止。
滤波
电感磁珠
国产
0603-120R
贴片电感
叠层
铁氧体磁芯
罐形
低频
卧式密封
铁氧体
20
10
25
120(Ω)
100(mA)
0(F)
100(V)