【*供应】 种类* 质量* 双向可控硅 可控硅BT148

n      额定通态电流*值I_T(RMS)≤12A

n      额定断态重复峰值电压V_DRM≤800V

n      触发电流（第三象限）I_GT3≤ 10mA

n      TO-220AB（SOT78）*封装，*合RoHS指令

n      管装，每管50个，每盒20管1K，每箱10盒10K

*号

参数（条件）

500

600

800

单位

V_DRM

断态重复峰值电压

500

600

800

V

I_T(RMS)

通态电流*值（Tc ≤ 99℃）

12

A

I_TSM

通态不重复浪涌峰值电流（初始T_j=25℃）

t=20ms

t=16.7ms

95

105

A

A

I²t

浪涌电流平方时间积

t=10ms

45

A²s

di/dt

通态电流临界上升率

（I_TM=20A; I_G=0.2A;

dI_G/dt=0.2A/μs）

T2 G

T2 G-

T2- G-

T2-G

50

50

50

10

A/μs

A/μs

A/μs

A/μs

I_GM

门*峰值电流

2

A

V_GM

门*峰值电压

5

V

P_GM

门*峰值功率

5

W

P_G(*)

门*平均功率

0.5

W

T_j

工作结温

125

℃

T_stg

贮存温度范围

-40~150

℃

*号

参数（条件）

E

单位

*小值

典型值

*大值

I_GT

门*触发电流

（V_D=12V; I_T=0.1A）

T2 G

T2 G-

T2- G-

T2-G

-

-

-

-

2.5

4.0

5.0

11

10

10

10

25

mA

mA

mA

mA

I_L

擎住电流

（V_D=12V; I_GT=0.1A）

T2 G

T2 G-

T2- G-

T2-G

-

-

-

-

3.2

16

4.0

5.5

30

40

30

40

mA

mA

mA

mA

I_H

维持电流（V_D=12V; I_GT=0.1A）

-

4.0

30

mA

V_TM

通态峰值电压（I_TM=15A）

-

1.4

1.65

V

V_GT

门*触发电压

V_D=12V; I_T=0.1A

V_D=400V; I_T=0.1A;T_j=125℃

-

0.25

0.7

0.4

1.5

-

V

V

I_D

断态重复峰值漏电流（V_D= V_DRM;T_j=125℃）

-

0.1

0.5

mA

dv/dt

断态电压临界上升率（V_D=67%V_DRM;门*开路;T_j=125℃）

-

50

-

V/μs

t_gt

门*开通时间（I_TM=16A; V_D= V_DRM;I_G=0.1A; dI_G/dt=5A/μs）

-