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FDC5614P MOS场效应管P沟道60V SOT23-6 丝印564 全新原装

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市华美欧电子科技有限公司

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FDC5614P

类别
包装
卷带（TR）
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Ta）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
105 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
24 nC @ 10 V
Vgs（大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
759 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（大值）
1.6W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SuperSOT™-6
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6


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型号/规格

FDC5614P

品牌/商标

ON

封装

SOT23-6

批号

21+