供应原装 贴片2N7002LT1G N沟道 60V/115mA MOSFET场效应管

地区:广东 深圳
认证:

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2N7002LT1G

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):115mA 功率(Pd):225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω@10V,500mA 阈值电压



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型号/规格

2N7002LT1G

品牌/商标

ON

封装

SOT23

批号

21+