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产品属性
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AO4418场效应管规格:
造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述:MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):30 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):650pF @ 20V
功率 - 最大值:2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC
AO4418场效应管采用先进的沟槽技术MOSFET,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。
场效应管应用领域:
1:工业领域、步进马达驱动、电钻工具、工业开关电源
2:新能源领域、光伏逆变、充电桩、无人机
3:交通运输领域、车载逆变器、汽车HID安定器、电动自行车
4:绿色照明领域、CCFL节能灯、LED照明电源、金卤灯镇流器
AO4418场效应管
AO4418场效应管
NXP(恩智浦)
SOP
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装