AO4413场效应管

    AO4413场效应管采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）和超低栅极电荷，栅极额定值为25V。 该器件适合用作负载开关或PWM应用。RoHS和无卤素Complian

    AO4413场效应管参数：

    FET 类型：P 沟道

    技术：MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）：30V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：15A（Ta）

    驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V，20V

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：7 毫欧 @ 15A，20V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：61nC @ 10V

    Vgs（最大值）：±25V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：3500pF @ 15V

    FET 功能：-

    功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    供应商器件封装：8-SOIC

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）；

    （2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（10～10Ω）很大。

    （3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；

    （4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；

    （5）场效应管的抗辐射能力强；

    （6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。