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产品属性
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AO4420A场效应管参数:
FET 类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):10.5 毫欧 @ 13.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):36nC @ 4.5V
Vgs(最大值):±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4050pF @ 15V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):3.1W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:8-SOIC
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
场效应管的分类:
1、场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名,绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中,应用最为广泛的是MOS场效应管,简称MOS管(即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET);此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管,以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。
2、按沟道半导体材料的不同,结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分,场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。
3、场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。
AO4420A
AOS
贴片
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装