AO4468场效应管

    AO4468场效应管结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，可提供极低的RDS（ON）。 该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。*符合RoHS和无卤素标准

    AO4468场效应管规格：

    制造商零件编号：AO4468

    制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述：MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC

    系列：-

    FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

    FET 功能：逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss)：30V

    电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：10.5A（Ta）

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：14 毫欧 @ 11.6A，10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：24nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1200pF @ 15V

    功率 - 最大值：3.1W

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SOIC

    注意事项：

    （1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。

    （2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接入电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不能加正偏压；P沟道管栅极不能加负偏压，等等。

    （3）MOS场效应管由于输入阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意，不能将MOS场效应管放入塑料盒子内，保存时最好放在金属盒内，同时也要注意管的防潮。