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产品属性
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AO4620场效应管规格:
FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):-
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):24 毫欧 @ 7.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):11nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):448pF @ 15V
功率 - 最大值:2W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC
场效应管的使用注意事项:
MOS场效应管由于输人阻抗极高,所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路,要用金属屏蔽包装,以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意,不能将MOS场效应管放人塑料盒子内,保存时最好放在金属盒内,同时也要注意管的防潮。
为了防止场效应管栅极感应击穿,要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地;管脚在焊接时,先焊源极;在连入电路之前,管的全部引线端保持互相短接状态,焊接完后才把短接材料去掉;从元器件架上取下管时,应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等;当然,如果能采用先进的气热型电烙铁,焊接场效应管是比较方便的,并且确保安全;在未关断电源时,绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上安全措施在使用场效应管时必须注意。
AO4620
AOS
贴片
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装