AO4812L场效应管

    AO4812L场效应管规格：

    FET 类型：2 个 N 沟道（双）

    FET 功能：标准

    漏源电压（Vdss）：30V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6A

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：30 毫欧 @ 6A，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：6.3nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：310pF @ 15V

    功率 - 最大值：2W

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SO

    场效应管到底好在哪

    1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

    2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

    3.场效应管可以用作可变电阻。

    4.场效应管可以方便地用作恒流源。

    5.场效应管可以用作电子开关。

    6.场效应管在电路设计上的灵活性大。栅偏压可正可负可零，三极管只能在正向偏置下工作，电子管只能在负偏压下工作。另外输入阻抗高，可以减轻信号源负载，易于跟前级匹配。