AO4818L场效应管

地区:广东 深圳
认证:

深圳市创芯联盈电子有限公司

金牌会员8年

全部产品 进入商铺

    AO4818L场效应管规格:

    FET 类型:2 个 N 沟道(双)

    FET 功能:标准

    漏源电压(Vdss):30V

    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A

    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):19 毫欧 @ 8A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):18nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):888pF @ 15V

    功率 - 最大值:2W

    工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

    供应商器件封装:8-SO

    场效应管的参数:

    ① 开启电压VGS(th) (或VT)

    开启电压是MOS增强型管的参数,栅源电压小于开启电压的绝对值,场效应管不能导通

    ② 夹断电压VGS(off) (或VP)

    夹断电压是耗尽型FET的参数,当VGS=VGS(off) 时,漏极电流为零

    ③ 饱和漏极电流IDSS

    耗尽型场效应三极管,当VGS=0时所对应的漏极电流

    ④ 输入电阻RGS

    场效应三极管的栅源输入电阻的典型值,对于结型场效应三极管,反偏时RGS约大于107Ω,对于绝缘栅场型效应三极管,RGS约是109~1015Ω

    ⑤ 低频跨导gm

    低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用,这一点与电子管的控制作用十分相像。gm可以在转移特性曲线上求取,单位是mS(毫西门子)

    ⑥ 最大漏极功耗PDM

    最大漏极功耗可由PDM= VDS ID决定,与双极型三极管的PCM相当


型号/规格

AO4818L

品牌/商标

AOS

封装形式

贴片

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装