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产品属性
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AO4822L场效应管规格:
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:标准
漏源电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):19 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):888pF @ 15V
功率 - 最大值:2W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SO
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
AO4822L
AOS
贴片
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装