AO4441场效应管

    AO4441场效应管采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON）和超低低栅极电荷。 该器件适合用作负载开关或PWM应用。

    AO4441场效应管参数：

    制造商零件编号：AO4441

    制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述：MOSFET P-CH 60V 4A 8-SOIC

    FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

    FET 功能：逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss)：60V

    电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A（Ta）

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：100 毫欧 @ 4A，10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：20nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1120pF @ 30V

    功率 - 最大值：3.1W

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SOIC

    场效应管到底好在哪

    1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

    2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

    3.场效应管可以用作可变电阻。

    4.场效应管可以方便地用作恒流源。

    5.场效应管可以用作电子开关。

    6.场效应管在电路设计上的灵活性大。栅偏压可正可负可零，三极管只能在正向偏置下工作，电子管只能在负偏压下工作。另外输入阻抗高，可以减轻信号源负载，易于跟前级匹配。