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产品属性
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NAND FLASH芯片W66BM6NBUAFI产品信息:
制造商:Winbond Electronics
制造商零件编号:W66BM6NBUAFI TR
描述:2GB LPDDR4X, X16, 1600MHZ, INDUS
对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
NAND FLASH芯片W66BM6NBUAFI一般信息:
数据列表:W66xL6Nxx, W66xL2Nxx;
标准包装:1
类别:集成电路(IC)
产品族:存储器
其它名称:256-W66BM6NBUAFIDKR
NAND FLASH芯片W66BM6NBUAFI规格:
存储器类型:易失
存储器格式:DRAM
技术:SDRAM - 移动 LPDDR4X
存储容量:2Gb (128M x 16)
存储器接口:LVSTL_11
时钟频率:1.6GHz
写周期时间 - 字,页:18ns
电压 - 供电:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V
工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:200-WFBGA
供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5)
NAND FLASH芯片W66BM6NBUAFI详细描述:SDRAM-移动-LPDDR4X-存储器-IC-2Gb-(128M-x-16)-LVSTL_11-1.6GHz-200-WFBGA(10x14.5)
WINBOND
存储器
DRAM
SDRAM - 移动 LPDDR4X
2Gb (128M x 16)
WINBOND SDRAM 移动 LPDDR W94AD6KBHX5E
WINBOND SDRAM 移动 LPSDR W987D2HBJX6E
WINBOND SDRAM DDR2 存储器 W971GG6KB25I
Flash存储芯片Winbond原厂封装W632GG6MB-12
WINBOND SDRAM 移动 LPSDR W987D2HBJX6I
WINBOND SDRAM LPSDR W987D6HBGX6E
Flash存储芯片Winbond原厂封装W631GU6MB-12
WINBOND SDRAM 移动 LPSDR W987D2HBJX7E
Flash存储芯片Winbond原厂封装W9812G6KH-6
Flash存储芯片Winbond原厂封装W632GG6MB12I