供应： 达林顿晶体管 ESM5045DV

制造商: STMicroelectronics

产品种类: 达林顿晶体管

RoHS:  详细信息  

配置: Single Dual Emitter

晶体管极性: NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 7 V

最大直流电集电极电流: 60 A

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: ISOTOP

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

系列: ESM3045

封装: Tube

高度: 9.1 mm  

长度: 38.2 mm  

宽度: 25.5 mm  

商标: STMicroelectronics  

直流集电极/Base Gain hfe Min: 150  

产品类型: Darlington Transistors  

工厂包装数量: 10  

子类别: Transistors

制造商: STMicroelectronics

产品种类: 达林顿晶体管

RoHS:  详细信息  

配置: Single Dual Emitter

晶体管极性: NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 7 V

最大直流电集电极电流: 60 A

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: ISOTOP

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

系列: ESM3045

封装: Tube

高度: 9.1 mm  

长度: 38.2 mm  

宽度: 25.5 mm  

商标: STMicroelectronics  

直流集电极/Base Gain hfe Min: 150  

产品类型: Darlington Transistors  

工厂包装数量: 10  

子类别: Transistors

深圳市金嘉锐电子有限公司优势供应：ESM5045DV