供应：晶体管 TK31A60W,S4VX

深圳市金嘉锐电子有限公司 销售：TK31A60W,S4VX

制造商: Toshiba

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220FP-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 30.8 A

Rds On-漏源导通电阻: 73 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.7 V to 3.7 V

Vgs - 栅极-源极电压: 30 V

Qg-栅极电荷: 86 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 45 W

通道模式: Enhancement

高度: 15 mm  

长度: 10 mm  

系列: TK31A60W  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 4.5 mm  

商标: Toshiba  

下降时间: 8.5 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 32 ns  

工厂包装数量: 50  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 165 ns  

典型接通延迟时间: 70 ns  

单位重量: 6 g

制造商: Toshiba

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220FP-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 30.8 A

Rds On-漏源导通电阻: 73 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.7 V to 3.7 V

Vgs - 栅极-源极电压: 30 V

Qg-栅极电荷: 86 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 45 W

通道模式: Enhancement

高度: 15 mm  

长度: 10 mm  

系列: TK31A60W  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 4.5 mm  

商标: Toshiba  

下降时间: 8.5 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 32 ns  

工厂包装数量: 50  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 165 ns  

典型接通延迟时间: 70 ns  

单位重量: 6 g