制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-7
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 105 A
Rds On-漏源导通电阻: 10 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: +/- 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 110 nC
最大工作温度: + 175 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: 1 N-Channel
下降时间: 23 ns
正向跨导 - 最小值: 93 S
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 380 W
上升时间: 50 ns
工厂包装数量: 50
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 37 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
