IPB65R190C6

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
Id-连续漏极电流: 20.2 A
Vds-漏源极击穿电压: 700 V
Rds On-漏源导通电阻: 190 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
Qg-栅极电荷: 73 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 151 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 10 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 12 ns
系列: CoolMOS C6
工厂包装数量: 1000
商标名: CoolMOS
典型关闭延迟时间: 133 nS

型号/规格

IPB65R190C6

品牌/商标

Infineon

产品种类

MOSFET

Id-连续漏极电流

20.2 A

Vds-漏源极击穿电压

700 V

封装

D2PAK-3

供应IPB65R190C6