LM74801QDRRRQ1汽车二极管控制器N沟道MOS

LM74801QDRRRQ1

特点

符合汽车应用的AEC-Q100标准
–设备温度等级1：
–环境工作温度范围为40?C至%2B125?C
–设备HBM ESD等级2
–设备CDM ESD分类级别C4B
?3V至65V输入范围
?反向输入保护低至-65V
?在公共漏极和公共源极配置中，可以驱动外部背靠背N通道
通道MOSFET
?10.5mV阳极-阴极正向压降调整下的理想二极管
正常运行（LM74800-Q1）
?反向检测阈值低（–4.5mV），响应速度快（0.5?s）
?20mA峰值门（DGATE）传导电流
?2.6A峰值DGATE关断电流
?可调过电压保护
?2.87?A低关断电流（EN/UVLO=低电平）
?采用合适的TVS二极管，符合汽车ISO7637瞬态
要求

?节省空间的12针WSON封装

2应用
?汽车电池保护
–ADAS域控制器
–摄像头ECU
–音频主机
–USB集线器
?冗余电源的有源O型环

LM74801QDRRRQ1理想二极管控制器可以驱动和控制外部背面
用于背面N沟道MOSFET，以模拟功率路径开/关控制
系统和过电压保护的理想二极管整流器。从3V到65V的宽范围传输
输入电源电压可保护和控制12V和24V汽车电池的电源
的ECU。该设备可承受并保护低至-65V的负载
负电源电压的影响。集成理想二极管控制器
（DGATE）可以驱动个MOSFET取代肖特基二极管
管实现反向输入保护和输出电压保持。在电源路径中
当使用第二个MOSFET时，设备允许负载
断开（开/关控制）并使用HGATE控制提供过电压保护
保护该装置具有可调过电压切断保护功能。LM7480型-
Q1有两种类型：LM74800QDRRRQ1和LM74801QDRRRQ1
LM74801QDRRRQ1采用线性调节器和比较器方案实现反向
电流闭锁功能，而LM74801-Q1支持基于比较器的平方
利用功率MOSFET的公共漏极配置
理想二极管的中点用于OR ing设计。LM7480x-Q1型
的额定电压为65V。通过使用
外部MOSFET可以保护负载免受过电压瞬态的影响（例如
例如，24V电池系统中未受限制的200V负载突然下降的影响
LM74801QDRRRQ1