功率晶体管 MJE3055T NPN Gen Pur Switch

地区:广东 深圳
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厂家:ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
描述:isc Silicon NPN Power Transistor 
类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
系列:-
晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):10A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):60V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):8V @ 3.3A,10A
电流 - 集电极截止(最大):700μA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):20 @ 4A,4V
功率 - 最大:75W
频率 - 转换:2MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220AB
包装:管件
其它名称:MJE3055TOS
标准包装:50
备注:MJE3055T 主要设计用于通用放大器使用,开关应用。

■ STMicroelectronics PREFERRED

SALESTYPES

■ COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES

DESCRIPTION

The MJE3055T is a silicon Epitaxial-Base NPN

transistor in Jedec TO-220 package. It is

intended for power switching circuits and

general-purpose amplifiers. The complementary

PNP type is MJE2955T.

VCEO Collector-Emitter Voltage (IB = 0) 60 V

VCBO Collector-Base Voltage (IE = 0) 70 V

VEBO Emitter-Base Voltage (IC = 0) 5 V

IC Collector Current 10 A

IB Base Current 6 A

Ptot Total Power Dissipation at Tcase ≤ 25 oC 75 W

Tstg Storage Temperature -55 to 150 oC

Tj Max. Operating Junction Temperature 150 oC

MJE3055T MJE3055T
型号/规格

MJE3055T

品牌/商标

ON(安森美)

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

散装

功率特性

大功率

频率特性

高频

极性

NPN型